1.项目背景
目前低频段频谱已十分拥挤，而30GHz以上高频段频谱资源丰富，频段向高频扩展将是未来移动通信必然的发展趋势, 现实中5G通信及军事对高频段需求的日益增加对频谱在毫米波波段的应用提出了挑战，是一个以十亿为计量单位的广阔市场。
国外的高频毫米波芯片对于我国长期处于禁运管制状态，国内难有机会接触和开发，对硅基毫米波集成电路领域的研究起步较晚，在毫米波技术及射频前端设计领域的积累相对薄弱。国内自主研发的毫米波段硅基射频前端收发单芯片集成依然处于空白。在毫米波技术的应用上，由于国产化芯片的缺失，国内依然处于用较为离散分块的器件或多芯片搭建的阶段，无法有效的降低成本、体积、重量和功耗。
2.产品介绍与应用范围
我公司是国内首家研发出（35GHz+）RF CMOS 毫米波射频前端全集成芯片的公司，独有的专利技术确保了公司的技术领先地位。团队擅长低功耗、高功率、高集成度的硅基毫米波收发芯片的设计研发，在 Ka、V、W 频段积累了大量的研发经验及成果。公司已基于 CMOS 工艺研制了工业化的35GHz 收发单片集成芯片、 60GHz 收发单片集成芯片和 98GHz VCO 芯片样片。目前公司产品的主要方向为：
（1）面向卫星通信应用的毫米波收发芯片
该芯片为一款基于CMOS工艺研发的低成本、低功耗、高集成的用于地面便携式卫星通信终端的收发芯片，经过3轮流片，产品已基本定型并已送样，根据客户测试，裸片可满足用户单位需求，后续将签订批量采购订单。
产品的应用对推动我国天地一体化信息网络的建设具有重要意义，目前公司已承担国家科技部相关子课题一项。
（2）面向5G通信和Wifi7应用的毫米波芯片
该芯片为一款V波段的5G高频段集成芯片，满足了5G通信的技术需求，后续应用可面向Wifi7、应急通信领域。随着技术的进一步成熟，预计该产品毛利率约为30%。 目前本项目已立项省级科技项目一项。
（3）面向相控阵雷达/卫通应用的低成本毫米波T/R套片
该系列产品主要分为三个系列，现已实现量产,详细介绍如下：
a.基于GaAs（砷化镓）IPD工艺开发的70余款IPD芯片，包括集成无源功分器、高/低通滤波器、衰减器、均衡器，覆盖频段DC-40GHz，产品均为裸芯片。
b.基于GaAs（砷化镓）0.15um pHEMT工艺开发的中功率放大器，替代ADI-Hitttie产品线的HMC451，主要应用频段是5GHz-20GHz。
c.应用频段为X~Ku频段的 6 bit移相衰减器芯片、限幅器芯片、低噪放芯片、延迟线芯片等。
